プラズマ質問箱

３D構造にPECVDを適用する際にはその反応性の高さからパルスにして反応性ガスを交互に送ったりしてガスが穴底に届くように工夫されています。プラズマではバイアスを掛けて穴底に反応性ガスを導入していますがこれらの際にシースの影響はどの様な影響になるのでしょう？

アスペクト比が高くなるほど異方的に入射するイオンが穴底の反応を支配することになりますのでシースが空間的に歪んだりしてしまうとイオンの垂直性が悪くなってしまい効率的に穴底に活性種が運べなくなってしまいます。ガス変調プロセスはチャンバ内のガス組成比やラジカルの空間分布の均一性が崩れやすいのでシースの歪がでやすいのではと思われます。活性種の穴底への効率的な供給は興味深い研究テーマの一つです。