クライオプラズマエッチング・・10年に1度の技術革新 その反応機構の解明に成功！

シャオ教授等（名古屋大学）は、東京エレクトロン（株）と共同で、基板を-60℃に冷却することで、SiO₂膜を超高速でプラズマエッチングできる現象を見出し、その機構を解明しました。このクライオエッチング技術は、10年に1度のプラズマエッチング分野のブレークスルーとして注目されています。シャオ教授等は、この新技術を「疑似ウエットエッチング」と命名しました。本技術によって、３次元NANDメモリーデバイスの製造に新たな道が敷かれるとともに、多様な分野において、高アスペクト比の超微細加工を高速で実現することができます。本論文によって、将来の微細加工を拓く新技術の核心を構成している反応機構を学ぶことができます。さらに、「疑似ウエットエッチング」という新たな科学の醍醐味を満喫することができます。

Shih-Nan Hsiao et al., ”Pseudo-Wet Plasma Mechanism Enabling High-Throughput Dry Etching of SiO₂ by Cryogenic-Assisted Surface Reactions”, Small Methods 2024, 8, 2400090.