原理から考える絶縁膜HARエッチング装置の発展と展望
～次世代エンジニアは技術とどう向き合うべきか～

半導体の製造工程において、難度の高い高アスペクト比（HAR）のエッチングが要求されている。プラズマを用いたドライエッチング技術は、過去約50年間にわたり、それに応え続けてきた。今後の更なる進展には、プラズマ内部の物理や化学の原理に立ち戻って現象を理解し、それに基づいて装置やプロセスを開発していくことが重要である。今回、事例を紹介しながら、それを説明する。

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レポート作成：堤　隆嘉 （名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター）