ダイヤモンドMOSFETの最近の進展　
～次世代パワーデバイスへの道を拓く～

ダイヤモンド半導体は、バンドギャップ5.47eVのワイドギャップ半導体です。われわれは独自のp型ドーピングとパッシベーションの基盤技術を確立し、パワー半導体デバイス作製技術を開発しました。GaNの世界最高値に匹敵する有能出力電力（BFOM）875MW/cm2を達成しました。

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レポート作成： 堤　隆嘉（名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター）