2 nm technology node以降のロジックデバイス

日時

5月11日（土）　09:00～10:00　（8:45 Open）

終了

会場

オンライン（Microsoft Teams）

概要

若林　整

東京工業大学

モデレータ

中塚　理

名古屋大学　低温プラズマ科学研究センター

FinFETの最新動向を示した後、2 nm technology node以降のロジックデバイスとして、Gate-all-around nano-sheet (GAA-NS) FETと、3D-stacked FET (3DSFET, also Complementary FET (CFET)), Backside interconnect, 3DSFET w/ 2D, 3D-fabrics w/ 2Dについて示す。

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