IV族混晶半導体ヘテロ構造の結晶成長および界面物性制御への挑戦：新世代多機能集積デバイスに向けて

GeSnなどのSnを含むIV族混晶半導体は、直接遷移化、低温成長可能、高キャリア移動度、低熱伝導率などのユニークな物性を持つ。本材料はSi集積回路プロセスへの親和性にも優れ、次世代の電子・光電・熱電集積デバイスへの応用が期待されている。講演ではこれら新材料の結晶成長や結晶・電子物性、界面制御技術について我々の近年の研究を中心に紹介、議論したい。

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