先端3Dフラッシュメモリの進化の鍵　配線が決めるデバイス性能

日時

7月13日（土）　09:00～10:00　（8:45 Open）

終了

会場

オンライン（Microsoft Teams）

概要

田上政由

キオクシア株式会社

モデレータ

石川健治

名古屋大学　低温プラズマ科学研究センター

近年、3D flash memoryは、IoTやAIをはじめとする各種アプリケーションに適用されており、性能向上（performance）、電力低減（power）、面積削減（area）、コスト削減（cost）のPPACへの要求が増大している。

PPACを実現するため、3D flash memory特有の配線技術が要求される。

本講演では、まず、3D flash memoryにおける配線技術への要求とプロセス例を紹介し、続いて、新たに開発したCu direct bondingプロセスを基盤とするCMOS directly bonded to array（CBA）技術を示す。

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