Gate-All-Around Nanosheet FET Technology Features for 3nm Technology Node and Beyond
～Beyond 3-nm世代に向けたGAAナノシートトランジスタ技術の展開～

日時

9月 9日（土）　09:00～10:00

終了

会場

オンライン（Microsoft Teams）

概要

望月省吾

IBM Research

モデレータ

牧原克典

名古屋大学大学院工学研究科

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