サタデーモーニング講座
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終了
Gate-All-Around Nanosheet FET Technology Features for 3nm Technology Node and Beyond
～Beyond 3-nm世代に向けたGAAナノシートトランジスタ技術の展開～
日時
9月 9日（土） 09:00～10:00
終了
会場
オンライン（Microsoft Teams）
概要
望月 省吾
IBM Research
モデレータ
牧原 克典
名古屋大学 大学院工学研究科
Gate-All-Around (GAA) nanosheet (NS)は3nm テクノロジーノード以降、FinFETに代わるデバイス構造として期待されている。本講演では、NSデバイス製造のための独自プロセス・インテグレーション技術について述べ、次世代のGAA NSロジックデバイスのさらなる高性能化のための革新的なプロセス技術とそのデバイスへの機能について紹介する。
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レポート作成：牧原克典 （名古屋大学 大学院工学研究科）
