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より抜きトピックス

次世代パワーデバイスの量産・標準化を実現するp型層の形成（p-Ga2O3）に成功

• 半導体

名古屋大学低温プラズマ科学研究センターの清水 尚博 特任教授らの研究グループは、次世代パワー化合物半導体である酸化ガリウム(Ga2O3)において、Ni（ニッケル）をイオン注入した後、プラズマを用いたラ…

Ptの垂直形状エッチングを達成

• 半導体

長年にわたって不可能と見なされてきた白金（Pt）の垂直パターンに成功・・・メモリデバイス電極など多様な応用に道を拓く！ Thi-Thuy-Nga Nguyen特任准教授等（名古屋大学）は、AGC（株…

クライオプラズマエッチング・・10年に1度の技術革新 その反応機構の解明に成功！

• 半導体