企業と大学ハーフ＆ハーフ人生からみた三次元集積技術

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半導体産業の持続的成長に向けて
-今、何故「最先端半導体」を選択したか？-

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新時代を切り拓く窒化物半導体

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先端3Dフラッシュメモリの進化の鍵　配線が決めるデバイス性能

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新規強誘電体は強誘電体をメインメモリにしうるか？　―強誘電体材料の進捗―

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2 nm technology node以降のロジックデバイス

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IV族混晶半導体ヘテロ構造の結晶成長および界面物性制御への挑戦：新世代多機能集積デバイスに向けて

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プラズマプロセスにおける欠陥形成（プラズマ誘起ダメージ）：その本質と最適化に向けて

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イノベーションが生まれる時　～高密度プラズマ，チャージングダメージ，日本のドライエッチング技術が世界をリードした1980～1990 年代，そして今，産学連携のあるべき姿～

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第３土曜日の開催です！
「ASET＠2000
　産官学連携による絶縁膜エッチングの基礎研究を振返り将来に向けてのプラズマ研究を考える」

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高アスペクト比エッチングプラズマにおけるイオン挙動

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先端プラズマ成膜（CVD/ALD）技術
～原材料は形を変え，境界を越えて，輝きを～

Global impact of plasma CVD/ALD technology
- My/your career adventures beyond borders: ready for the global spotlight ?-

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ダイヤモンドMOSFETの最近の進展　
～次世代パワーデバイスへの道を拓く～

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Gate-All-Around Nanosheet FET Technology Features for 3nm Technology Node and Beyond
～Beyond 3-nm世代に向けたGAAナノシートトランジスタ技術の展開～

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量子コンピューティング実用化に向けた挑戦
～量子デバイスから、基盤アルゴリズム、アプリケーションまで～

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世界が注目する日本の３Dパッケージング技術！　最先端半導体開発に対する世界の取り組み

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原理から考える絶縁膜HARエッチング装置の発展と展望
～次世代エンジニアは技術とどう向き合うべきか～

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半導体デバイスプロセスと電子顕微鏡原子スケール解析 ～先進ナノ解析による半導体産業への貢献～

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どうかわるプラズマエッチング？　これまでの３０年これからの３０年

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洗浄技術の2nmデバイス量産への挑戦

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ポスト５G時代に向けた次世代コンピューティング基盤（ハード）戦略

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三次元積層構造の不揮発性メモリ ”BiCS FLASH™” の開発とキオクシアのイノベーションの紹介

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半導体製造における原子層プロセスの物理

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核融合プラズマを統計数理の目で見る

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先端ロジックCMOSの技術動向と3次元集積技術

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第１部：３D化に向けた半導体配線技術進化
第２部：USAから見る日本
　　　　- Work in Japan, then in the USA -

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教科書に無いプラズマＣＶＤの話

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プラズマによる材料表面の機械的応答特性制御

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半導体デバイスの研究開発から製品化までに
必要な考えと今後の開発動向について
～プラズマ研究からSiCパワーデバイス、パワエレ実用化の経験から～

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次世代コンピューティング
＝デバイスサイエンス×コンピュータサイエンス
～超伝導コンピューティングの場合〜

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今（も）そこにある危機！

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我が国の半導体・デジタル産業戦略について

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Never can you have too big a dream.

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Innovation for the resilient and sustainable society

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エッチング用プラズマ源の変遷
～過去を紐解き未来に繋げる～

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どうするプラズマ
～これからの半導体プロセス～

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プラズマが衝く
～半導体プロセスの40年～

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